意大利HT HT7051絕緣電阻測(cè)試儀
簡(jiǎn)要描述：意大利HT HT7051絕緣電阻測(cè)試儀 本產(chǎn)品是適合便攜式的野外測(cè)試場(chǎng)所要求的絕緣電阻測(cè)試儀，現(xiàn)在熱賣(mài)中，如需購(gòu)買(mǎi)，可通過(guò)客服熱線聯(lián)系我們!
產(chǎn)品型號(hào)：- 廠商性質(zhì)：代理商
- 更新時(shí)間：2025-05-07
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意大利HT HT7051絕緣電阻測(cè)試儀 本產(chǎn)品是適合便攜式的野外測(cè)試場(chǎng)所要求的絕緣電阻測(cè)試儀，現(xiàn)在熱賣(mài)中，如需購(gòu)買(mǎi)，可通過(guò)客服熱線聯(lián)系我們!
意大利HT HT7051絕緣電阻測(cè)試儀：
專(zhuān)業(yè)絕緣儀表，可編程測(cè)試電壓高達(dá) 5KV
HT7051 的開(kāi)發(fā)是為了測(cè)量 絕緣電阻 ，測(cè)試電壓 可編程高達(dá) 5kVDC ，測(cè)量范圍高達(dá) 10TΩ，這使得它非常適用于工業(yè)應(yīng)用（電機(jī)、電力變壓器、電纜、電路板、通用設(shè)備等的測(cè)試）。
該設(shè)備允許在 FIX （具有固定測(cè)試電壓）、 ADJUST （可編程測(cè)試電壓）和 RAMP 模式（ 可編程測(cè)試電壓和施加時(shí)間，可選擇 3 種可用的斜坡類(lèi)型 ）下進(jìn)行測(cè)試，從而定義適合任何情況的作類(lèi)型。 極化指數(shù) （PI） 和 介電吸收率 （DAR） 等參數(shù)的測(cè)量是允許定義絕緣質(zhì)量的持續(xù)時(shí)間測(cè)試。HT7051 配有 鎳氫充電電池 和集成電池充電器，在進(jìn)行測(cè)量時(shí)可提供較長(zhǎng)的使用壽命，它帶有 內(nèi)部存儲(chǔ)器 用于保存測(cè)量結(jié)果，還可以將其連接到 PC 以下載測(cè)量結(jié)果。整個(gè)結(jié)構(gòu)已插入一個(gè)舒適耐用的運(yùn)輸箱中，堅(jiān)固且安全，適合“現(xiàn)場(chǎng)"使用。
1.HT7051絕緣電阻測(cè)試儀電氣規(guī)格
直流 / 交流真有效值電壓
| 量程 | 分辨率 | 不確定度 | 過(guò)載保護(hù) |
|---|---|---|---|
| 10 至 660V | 1V | ± (2% 讀數(shù) + 2 位) | 對(duì)地 CAT IV 600V |
絕緣電阻
| 量程 | 測(cè)試電壓 | 分辨率 | 不確定度 (*) |
|---|---|---|---|
| 0.01MΩ 至 0.19MΩ | ≥ 100V DC | ≤ 1% 讀數(shù) | ± (5% 讀數(shù) + 7 位) |
| 0.20MΩ 至 199GΩ | ≥ 250V DC | ± (5% 讀數(shù) + 3 位)（若泄漏電阻 Rmis ≤ 5nA） | |
| 0.20MΩ 至 499GΩ | ≥ 500V DC | - | |
| 0.20MΩ 至 999GΩ | ≥ 1000V DC | - | |
| 0.20MΩ 至 1.99TΩ | ≥ 2500V DC | - | |
| 0.20MΩ 至 4.99TΩ | ≥ 2500V DC | ± (20% 讀數(shù) + 3 位)（若……） | |
| 0.20MΩ 至 9.99TΩ | 5000V DC | - |
生成的測(cè)試電壓（符合 IEC/EN61557 - 2 標(biāo)準(zhǔn)）
| 類(lèi)型 | 電壓范圍 | 容差 |
|---|---|---|
| 固定 | 100V、250V、500V、1kV、2.5kV、5kV | -0%，+10% +15V |
| 可調(diào) | 100 至 1kV，步長(zhǎng) 25V | - |
| 1kV 至 5kV，步長(zhǎng) 50V | - | |
| 斜坡 | 100 至 1kV，步長(zhǎng) 25V | - |
| 1kV 至 5kV，步長(zhǎng) 50V | - |
測(cè)試電流
| 測(cè)試電壓 | 測(cè)試電流 |
|---|---|
| 100 至 5000V | 1mA ≤ 測(cè)試電流 ≤ 3mA (**) |
| 測(cè)試時(shí)間 | 分辨率 |
| 5s – 99min 59s | 1s |
電容
| 量程 | 分辨率 | 其他條件 | 不確定度 |
|---|---|---|---|
| 1nF 至 999nF | 1nF | Vn ≤ 5kV，≥ 5MΩ | ± (10% 讀數(shù) + 5 位) |
| 1.00µF 至 5.00µF | 0.01µF | - | - |
| 1nF 至 999nF | 1nF | Vn ≤ 2.5kV | - |
| 1.00µF 至 9.99µF | 0.01µF | - | - |
| 10.0µF 至 19.9µF | 0.1µF | - | - |
| 1nF 至 999nF | 1nF | Vn ≤ 1kV | - |
| 1.00µF 至 9.99µF | 0.01µF | - | - |
| 10.0µF 至 49.9µF | 0.1µF | - | - |
泄漏電流
| 量程 | 分辨率 | 不確定度 |
|---|---|---|
| 1nA 至 99.9nA | 0.1nA | - |
| 100nA 至 999nA | 1nA | ± (7% 讀數(shù) + 3 位)（若泄漏電阻 Rmis ≤ 5nA） |
| 1.00µA 至 9.99µA | 0.01µA | - |
| 10.0µA 至 9.99µA | 0.1µA | - |
| 100µA 至 999µA | 1µA | ± (22% 讀數(shù) + 3 位)（若……） |
| 1.00mA 至 2.5mA | 0.01mA | - |
極化指數(shù)（P.I） - 介質(zhì)吸收比（D.A.R）
| 量程 | 分辨率 | 不確定度 |
|---|---|---|
| - | - | - |
(*) 負(fù)載電容 < 1nF。
2. 一般特性
顯示、內(nèi)存、串行接口
電源
環(huán)境
機(jī)械數(shù)據(jù)
指導(dǎo)方針
